[发明专利]一种亲疏水交互分布微结构表面制备方法

摘要

本发明属于海洋防污材料制备技术领域，具体涉及一种亲疏水交互分布微结构表面制备方法，将电子束刻蚀设定图案的光掩膜覆盖在单晶硅表面，刻蚀出设定深度的设定图案，以刻蚀后的单晶硅表面为阴模，利用刻蚀翻模获得具有设定结构的疏水性有机硅微结构表面，通过等离子体处理、双氧水活化、憎水液体封孔、清洗和水凝胶灌注的过程，在有机硅微结构中有序填充水凝胶，获得结构规整的亲疏水交互分布微观阵列表面，通过控制微观阵列中水凝胶的高度，调节亲疏水交互分布微结构表面中亲疏水区域的投影面积占比和空间面积占比，解决亲疏水性与微观结构相结合的问题，提高微结构材料的广谱防污性能，用于防除船舶和海洋结构物表面的生物污损。

主权项

1.一种亲疏水交互分布微结构表面制备方法，其特征在于工艺过程为：首先，使用电子束刻蚀设定图案的光掩膜，将光掩膜覆盖在单晶硅表面，使用等离子体在单晶硅表面刻蚀出设定深度的设定图案，以刻蚀后的单晶硅表面为阴模，通过翻模获得疏水性有机硅微结构表面；然后，在真空条件下，对疏水性有机硅微结构表面进行5‑10分钟的等离子体活化处理，接着在疏水性有机硅微结构表面滴加盐酸双氧水溶液，并覆盖一层憎水性液体，2‑15分钟后，用溶剂冲洗疏水性有机硅微结构表面并用氮气吹干；最后，在疏水性有机硅微结构表面滴加水凝胶溶液，待水凝胶溶液固化后，获得亲疏水交互分布的微结构表面。