[发明专利]一种聚酰亚胺电介质薄膜及其制备方法与应用有效
申请号: | 201810599986.7 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN108841003B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 佟辉;徐菊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种聚酰亚胺电介质薄膜,由含有极性基团和/或柔性键接结构二胺单体和含有极性基团和/或柔性键接结构二酐单体经过缩合聚合,并经过后续热酰亚胺化处理得到,制备方法如下:在惰性气体保护下,将二胺单体溶解于有机溶剂中后,加入二酐单体,搅拌得到均相溶液,并在一定温度下继续反应4~10小时,得到聚酰胺酸(PAA)溶液。将聚酰胺酸溶液涂覆于基底上,经过升温、烘干处理后,浸入去离子水中剥离,然后再次烘干处理,得到聚酰亚胺电介质薄膜。本发明聚酰亚胺电介质薄膜可耐受230℃高温。本发明聚酰亚胺电介质薄膜用于金属化薄膜电容器。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚酰亚胺 电介质 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺电介质薄膜,其特征在于,所述电介质薄膜的分子结构由二酐单体单元和二胺单体单元组成,其中,二酐单体单元中含有极性基团和/或柔性键接结构,二胺单体单元中含有极性基团和/或柔性键接结构;所述聚酰亚胺薄膜电介质的具有下述式I所示的结构通式:
其中,Ar1选自式II或式III中的任意一种:
其中,B1选自—、‑O‑、
中的任意一种;
其中,B2选自‑O‑、
中的任意一种,B3选自‑O‑、
中的任意一种,B2、B3相同或者不相同;Ar2选自式IV、式V或式VI中的任意一种:
其中,R1为‑O‑、‑CH2‑、
中的任意一种;
其中,R2选自‑O‑、
中的任意一种,R3选自‑O‑、![]()
中的任意一种,R2与R3相同或者不相同;
其中,R4选自‑O‑或
中的任意一种,R5选自‑O‑或
中的任意一种,R6选自‑O‑或
中的任意一种,R4、R5与R6相同或者不相同;n为15~200的整数;所述聚酰亚胺电介质薄膜的数均分子量(Mn)在8000~80000g/mol之间。
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