[发明专利]一种PVD镀膜装置在审

专利信息
申请号: 201810599996.0 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108754444A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 潘振强;朱惠钦 申请(专利权)人: 广东振华科技股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46;C23C14/32
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 曹爱红
地址: 526020 广东省肇庆市端*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于真空镀膜技术领域,具体涉及一种物理气相沉积PVD装置,包括真空室,设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶,所述工件架为立式旋转式结构,所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。该镀膜装置的真空室容量大,工件架装载量大,镀膜效率大大提高,其还能较好地进行镀膜前处理,以提高镀膜效果,此外,能配合不同靶材进行镀膜,实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性,单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备,提高生产效率。
搜索关键词: 工件架 离子源系统 真空室 镀膜 真空磁控溅射镀膜 物理气相沉积 真空镀膜技术 镀膜效果 镀膜效率 镀膜周期 镀膜装置 溅射电源 立式条形 立式旋转 生产效率 磁控靶 离子源 前处理 装载量 靶材 膜层 膜系 制备 多样性 室内 配合
【主权项】:
1.一种PVD镀膜装置,其特征在于:包括真空室,设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源,以及若干双组孪生磁控靶,所述工件架为立式旋转式结构,所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。
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