[发明专利]电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201810600079.X | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108736314B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李亚节;周旭亮;王梦琦;王鹏飞;孟芳媛;李召松;于红艳;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/40;H01S5/30;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III‑V族激光器外延结构及其两边的二氧化硅，在沿沟槽延伸方向上形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 iii 纳米 激光器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在所沉积的二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀所述SOI衬底，在所述矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在所述V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构；将所述III‑V族激光器外延结构的顶部抛光，刻蚀所述III‑V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉所述FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅，由此完成所述电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备。
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