[发明专利]三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810600399.5 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108807405B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作三维存储器的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区、字线连接区和周边区；在所述核心区形成沟道孔阵列和一个或多个栅极隔槽，且在所述周边区形成一个或多个接触孔；在所述沟道孔阵列的各沟道孔、所述一个或多个栅极隔槽以及所述一个或多个接触孔中都形成存储器膜和沟道层；在所述半导体结构上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案覆盖所述沟道孔阵列，且暴露所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔；去除所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔中的所述沟道层；在所述一个或多个栅极隔槽中形成绝缘部；以及在所述一个或多个接触孔中形成接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作三维存储器的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区、字线连接区和周边区；在所述核心区形成沟道孔阵列和一个或多个栅极隔槽，且在所述周边区形成一个或多个接触孔；在所述沟道孔阵列的各沟道孔、所述一个或多个栅极隔槽以及所述一个或多个接触孔中都形成存储器膜和沟道层；在所述半导体结构上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案覆盖所述沟道孔阵列，且暴露所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔；去除所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔中的所述沟道层；在所述一个或多个栅极隔槽中形成绝缘部；以及在所述一个或多个接触孔中形成接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
