[发明专利]一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法在审
| 申请号： | 201810600748.3 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108919587A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 徐新龙;张隆辉;姚泽瀚;黄媛媛;朱礼鹏;卢春辉 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02F1/355;H01S3/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法，包括过渡金属硫族化物薄膜和泵浦光源；本发明通过固定入射激发脉冲，旋转过渡金属硫族化物薄膜平面中心轴，泵浦光源激光以0°～90°入射激发过渡金属硫族化物薄膜的表面辐射太赫兹波。本发明通过使用过渡金属硫族化物薄膜作为太赫兹发射源，使得产生的太赫兹源具有高辐射效率；且由于薄膜良好的导热性，稳定的晶格结构，可调的能带带隙，保证了器件的使用寿命以及更广的适用范围，填补了二维材料太赫兹发射源种类；将过渡金属硫族化物薄膜作为太赫兹发射源，能够产生椭圆偏振太赫兹波，而椭圆偏振太赫兹波在分子手性光谱，物质圆二向色性光谱，以及偏振成像等方面具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属 硫族化物 太赫兹发射源 薄膜 太赫兹波 泵浦光源 椭圆偏振 入射 光谱 激发 导热性 薄膜平面 表面辐射 二维材料 二向色性 分子手性 激发脉冲 晶格结构 偏振成像 使用寿命 太赫兹源 高辐射 可调的 中心轴 带隙 激光 填补 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，包括过渡金属硫族化物薄膜(2)和泵浦光源(3)，泵浦光源(3)激发过渡金属硫族化物薄膜(2)表面辐射太赫兹波；所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)的厚度为0.72nm～200nm。
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