[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810601018.5 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN110600619B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 张珈铭;曹蔚然 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间设置有本体异质结传输层。该本体异质结传输层可以促进空穴载流子的输运,有效提高空穴的迁移率,因此该本体异质结传输层可提高空穴的注入效率,有利于平衡现有量子点发光二极管中量子点发光层内的电子和空穴,从而缓解载流子注入不平衡的问题。
搜索关键词: 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,其特征在于,所述阳极和所述量子点发光层之间设置有本体异质结传输层。/n
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