[发明专利]晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置在审
| 申请号： | 201810601103.1 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108857860A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;李易磊 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/32;B24B37/34;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴啸寰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于不锈钢研磨技术领域，尤其涉及一种晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置。本发明中晶片定位环的研磨方法包括如下步骤：将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；其中，研磨转速为50‑80rpm，研磨时间为35‑45min，研磨液流量为0.7‑1.2mL/s，压重为4.3‑4.8kg。通过本发明中的研磨方法得到的晶片定位环具有较好的平面度，满足小于或等于0.01mm的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 晶片定位环 化学机械抛光装置 抛光 研磨液流量 施加压力 定位环 抛光垫 抛光头 平面度 研磨盘 研磨液 压重 种晶 不锈钢 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；其中，研磨转速为50‑80rpm，研磨时间为35‑45min，研磨液流量为0.7‑1.2mL/s，压重为4.3‑4.8kg。
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