[发明专利]量子点薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810601243.9 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600620B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 辛征航;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法。该量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备图案化磁性材料层；提供含有磁性量子点的量子点溶液，将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理，得到图案化的量子点薄膜。该制备方法工艺简易高效，而且成本低，将其应用于制备图案化量子点光致发光器件，可显著降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基底；/n在所述基底上制备图案化磁性材料层；/n提供含有磁性量子点的量子点溶液，将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理，得到图案化的量子点薄膜。/n
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H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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