[发明专利]制作半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201810601536.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600428A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗洵 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法，其包括形成第一氧化层于高电压区与低电压区上；进行原子层沉积制作工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，所述原子层沉积制作工艺功率介于50至400瓦；进行退火制作工艺，所述退火制作工艺温度介于80至500摄氏度；移除覆盖所述低电压区的部分所述第一氧化层与所述第二氧化层；形成第三氧化层于所述高电压区与低电压区上；以及形成栅极结构于所述高电压区与低电压区上，以形成高电压晶体管与低电压晶体管。采用本发明提供的方法可以有效减少原子层沉积制作工艺所导致的离子累积，进而避免后续制作工艺步骤对基板损伤的催化。 | ||
| 搜索关键词： | 制作工艺 氧化层 低电压区 原子层沉积 高电压区 退火 低电压晶体管 高电压晶体管 半导体元件 离子累积 有效减少 栅极结构 对基板 移除 催化 损伤 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包括：/n形成第一氧化层于高电压区与低电压区上；/n进行原子层沉积制作工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，所述原子层沉积制作工艺功率介于50至400瓦；/n进行退火制作工艺，所述退火制作工艺温度介于80至500摄氏度；/n移除覆盖所述低电压区的部分所述第一氧化层与所述第二氧化层；/n形成第三氧化层于所述高电压区与所述低电压区上；以及/n形成栅极结构于所述高电压区与所述低电压区上，以形成高电压晶体管与低电压晶体管。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810601536.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置
- 下一篇：形成电容掩模的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
