[发明专利]一种生长钙钛矿薄膜的方法

摘要

一种生长钙钛矿薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。升华PbI₂材料，终端设置合适的PbI₂生长温度。PbI₂沉积完成后，该区加热源迅速降温。升华CH₃NH₃I，终端设置合适的CH₃NH₃I生长温度。使CH₃NH₃I的沉积区恰好与PbI₂的沉积区重合。CH₃NH₃I与PbI₂反应生成CH₃NH₃PbI₃薄膜。利用化学气相沉积法制备了CH₃NH₃PbI₃薄膜，丰富了制备CH₃NH₃PbI₃薄膜的方法。

主权项

1.一种生长钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，采用的装置为：一个空腔，空腔内底部独立放置优选依次放置有CH3NH3I、PbI2、衬底；CH3NH3I、PbI2和衬底所在的底部或位置均能控温，空腔相对的两侧面开有孔，用于通入惰性气体如氩气作为载气体，使得气体经过CH3NH3I、PbI2到达衬底，即衬底作为终端；具体制备方法包括以下步骤：(1)将衬底如利用ITO玻璃作为衬底，依次在甲苯、丙酮、乙醇以及去离子水中超声清洗后放入手套箱中干燥1小时备用；将清洗后的衬底、PbI2材料、CH3NH3I材料放在所述的装置中；(2)采用PbI2材料所在的底部或位置的热源升华PbI2材料，衬底所在的终端设置合适的PbI2生长温度150‑250℃，PbI2沉积完成后，该衬底所在的终端热源和PbI2材料所在的底部或位置的热源迅速降温；(3)采用CH3NH3I材料所在的底部或位置的热源升华CH3NH3I材料，衬底所在的终端设置合适的CH3NH3I生长温度50‑100℃；使CH3NH3I沉积到步骤(2)的PbI2沉积区上，CH3NH3I与PbI2反应生成CH3NH3PbI3薄膜。