[发明专利]包括具有多个介电区段的垂直栅的LDMOS晶体管及相关方法在审
| 申请号： | 201810601858.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108987479A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | T·K·卡斯特罗;R·辛格;B·法特米扎德赫;A·布兰德;J·夏;C-N·倪;M·A·祖尼加 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，该晶体管包括硅半导体结构和垂直栅。该垂直栅包括：(a)栅导体，该栅导体从该硅半导体结构的第一外表面延伸进入该硅半导体结构中；以及(b)栅电介质层，该栅电介质层包括至少三个介电区段。这至少三个介电区段中的每一个介电区段将该栅导体与该硅半导体结构分隔开相应的分隔距离，其中，这些相应的分隔距离中的每一个与这些相应的分隔距离中的另一个彼此不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 硅半导体结构 介电 分隔距离 垂直栅 栅导体 栅电介质层 晶体管 横向双扩散金属氧化物半导体 分隔 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括：硅半导体结构；以及垂直栅，该垂直栅包括：栅导体，该栅导体从该硅半导体结构的第一外表面延伸进入该硅半导体结构中；以及栅电介质层，该栅电介质层包括至少三个介电区段，这至少三个介电区段中的每一个介电区段将该栅导体与该硅半导体结构分隔开相应的分隔距离，这些相应的分隔距离中的每一个与这些相应的分隔距离中的另一个彼此不相同。
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