[发明专利]形成导电互连结构的方法、导电互连结构以及三维存储器在审
| 申请号： | 201810603458.4 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108550564A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成导电互连结构的方法、导电互连结构以及三维存储器。导电互连结构包括第一互连层和第二互连层。所述第一互连层包括多个第一导电柱。所述第二互连层位于所述第一互连层上，所述第二互连层包括间隔层和多个第二导电柱，所述间隔层与所述第一互连层在垂直方向上相互间隔以形成空隙，所述多个第二导电柱间隔地设置于所述空隙中，各第二导电柱与各第一导电柱对准且相互连接。这一导电互连结构可以降低互连导线之间的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 互连层 导电互连 导电柱 三维存储器 间隔层 导电柱间隔 互连导线 电容 对准 | ||
【主权项】：
1.一种导电互连结构，包括：第一互连层，所述第一互连层包括多个第一导电柱；第二互连层，位于所述第一互连层上，所述第二互连层包括间隔层和多个第二导电柱，所述间隔层与所述第一互连层在垂直方向上相互间隔以形成空隙，所述多个第二导电柱间隔地设置于所述空隙中，各第二导电柱与各第一导电柱对准且相互连接。
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