[发明专利]一种双大马士革结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种双大马士革结构的制作方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，其依次包括导电层、第一介电层、第二刻蚀停止层以及第二介电层，半导体衬底中形成有通孔，且通孔中填充有底部抗反射层；对第二介电层进行第一次刻蚀，形成沟槽的第一部分；沿沟槽的第一部分对第二介电层进行第二次刻蚀，形成沟槽的第二部分，底部抗反射层再次被消耗，底部抗反射层的高度低于第二刻蚀停止层；采用反应性气体清洁通孔暴露出来的侧壁；对沟槽的第二部分以及通孔进行刻蚀；在沟槽的第一部分、第二部分以及通孔中形成填充层，以形成双大马士革结构。本发明避免了沟槽形成时产生篱笆形貌，从而提高了产品良率。

主权项

1.一种双大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底由下至上依次包括导电层、第一刻蚀停止层、第一介电层、第二刻蚀停止层以及第二介电层，所述半导体衬底中形成有通孔，所述通孔暴露所述第一刻蚀停止层，且所述通孔中填充有底部抗反射层；S2：对所述第二介电层进行第一次刻蚀，形成沟槽的第一部分，所述通孔位于所述沟槽的第一部分的底部，所述通孔的开口尺寸小于所述沟槽的第一部分的开口尺寸，所述底部抗反射层被消耗掉一部分；S3：沿所述沟槽的第一部分对所述第二介电层进行第二次刻蚀，形成沟槽的第二部分，所述沟槽的第二部分位于所述沟槽的第一部分的底部，所述底部抗反射层再次被消耗掉一部分，所述底部抗反射层的高度低于所述第二刻蚀停止层；S4：采用反应性气体清洁所述通孔暴露出来的侧壁；S5：对所述沟槽的第二部分以及通孔进行刻蚀，所述沟槽的第二部分暴露所述第一介电层，所述通孔暴露所述导电层；以及S6：在所述沟槽的第一部分、第二部分以及所述通孔中形成填充层，以形成双大马士革结构。