[发明专利]半导体晶粒退火方法在审
| 申请号： | 201810605779.8 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109817520A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 叶昕豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体晶粒退火方法。在此方法中，接收与一半导体晶粒的布局相关的信息。根据所接收的信息，获得在半导体晶粒上的至少一退火轨迹。根据所接收的信息，对半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序。根据对准记号，定位半导体晶粒。沿着退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的半导体晶粒上，以退火所定位的半导体晶粒的一第一部分，第一部分由退火轨迹所覆盖。再者，所定位的半导体晶粒通过退火轨迹被部分地覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 退火 对准记号 激光参数 激光束 投射 覆盖 对准 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶粒退火方法，包括：接收与一半导体晶粒的布局相关的信息；根据所接收的所述信息，获得在所述半导体晶粒上的至少一退火轨迹；根据所接收的所述信息，对所述半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序；根据所述对准记号，定位所述半导体晶粒；以及沿着所述退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的所述半导体晶粒上，以退火所定位的所述半导体晶粒的一第一部分，所述第一部分由所述退火轨迹所覆盖，其中所定位的所述半导体晶粒通过所述退火轨迹被部分地覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810605779.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体的制造方法
- 下一篇：用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
