[发明专利]纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构有效
| 申请号： | 201810605874.8 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110600546B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L27/092;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构，该纳米管晶体管结构，包含一基底，一第一纳米管悬挂于基底上，一第一栅极线横跨并环绕第一纳米管，第一栅极线具有一第一末端和一第二末端，一第二栅极线横跨并环绕第一纳米管，第二栅极线具有一第三末端和第四末端以及一层间介电层包覆第一末端、第二末端、第三末端和第四末端，其中第一末端和第一纳米管之间的一第一距离小于第三末端和第一纳米管之间的一第三距离。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 结构 管反相器 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构，其特征在于，包含：/n基底；/n第一纳米管，悬挂于该基底上；/n第一栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第一栅极线具有第一末端和第二末端；/n第二栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第二栅极线具有第三末端和第四末端；以及/n层间介电层，包覆该第一末端、该第二末端、该第三末端和该第四末端；其中该第一末端和该第一纳米管之间的一第一距离小于该第三末端和该第一纳米管之间的一第三距离。/n
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