[发明专利]一种芯片封装工艺及产品有效
| 申请号： | 201810606043.2 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600382B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 何忠亮;徐光泽;沈正 | 申请（专利权）人： | 深圳市鼎华芯泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/67;H01L21/683;H01L23/49 |
| 代理公司： | 深圳世科丰专利代理事务所(特殊普通合伙) 44501 | 代理人： | 杜启刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片封装工艺及产品，其公开了一种芯片封装工艺，由于采用剥离式封装载板的加工工艺，制作工艺流程更简单、更环保，且芯片布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高；此外，通过该封装工艺生产出了品质更可靠、应用更广的芯片封装产品，其无电极基板，电极嵌入在封装胶中，由于没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，封装体结构更简单、设计自由度更高、成本更低。本发明可应用于需要进行芯片加工和设计的各种行业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 工艺 产品 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装工艺，其特征在于：所述工艺包括以下步骤：/nS1、准备导电金属箔A、粘接层B及承载片C；/nS2、在导电金属箔上选择性电镀形成电极，及，贴合导电金属箔A，粘接层B和承载片C；/n其中：先在导电金属箔A上选择性电镀形成电极，再进行导电金属箔A、粘接层B和承载片C的贴合；或者，先进行导电金属箔A、粘接层B和承载片C的贴合，后在导电金属箔A上选择性电镀形成电极；/nS3、除去没有被电极保护的导电金属箔；/nS4、在电极上固晶、封胶；/nS5、剥离承载片C。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
