[发明专利]一种激光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810606843.4 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108923257B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 雷双瑛;郭斯佳;沈海云 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光二极管及其制备方法，所述二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)；其制备方法如下：1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3)；2)在下包覆层(3)上表面沉积有源层(4)；3)在有源层(4)上表面沉积上包覆层(5)；4)在上包覆层(5)上表面蒸镀一层金属层，作为上电极(6)；在硅衬底(2)的下表面蒸镀一层金属层，作为下电极(1)。该激光二极管具有氮化硼‑八磷化二钾异质结，不仅表现出较高的效率，而且其结构稳定，工作时间长，不易退化失效，制备工艺更简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管，其特征在于：该激光二极管含有氮化硼‑八磷化二钾异质结，其结构包括硅衬底(2)，在硅衬底(2)的上表面设置有下包覆层(3)，包覆层(3)的上表面沉积有有源层(4)，有源层(4)上表面沉积有上包覆层(5)，在上包覆层(5)的上表面蒸镀金属层作为上电极(6)，在硅衬底(2)的下表面蒸镀有金属层作为下电极(1)。
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