[发明专利]一种末端全反射高功率微波器件有效

专利信息
申请号: 201810607603.6 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN108807115B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 丁恩燕;杨周炳;张运俭;陆巍;何静 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01J25/46 分类号: H01J25/46;H01J23/28
代理公司: 51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人: 詹永斌<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种末端全反射高功率微波器件,包括高功率微波器件、设置在器件内的束波互作用区、在束波互作用区中传输的环形强流电子束、内波导、在内波导中传输的高功率微波,束波互作用区为同轴慢波结构,所述环形强流电子束传输末端为封闭结构,高功率微波经末端封闭结构反射,通过内波导一端的微波注入口耦合入内波导,本发明采用上述结构的末端全反射高功率微波器件,能够提高束波转换效率。
搜索关键词: 高功率微波器件 波导 互作用区 全反射 高功率微波 电子束 电子束传输 传输 封闭结构 慢波结构 末端封闭 微波注入 耦合 波转换 同轴 反射
【主权项】:
1.一种末端全反射高功率微波器件,包括高功率微波器件、设置在器件内的束波互作用区、在束波互作用区中传输的环形强流电子束、内波导和在内波导中传输的高功率微波,其特征在于所述环形强流电子束传输末端为封闭结构,高功率微波经末端封闭结构反射,通过内波导一端的微波注入口耦合入内波导;/n所述器件的束波互作用区为同轴慢波结构,同轴慢波结构为矩形结构,所述同轴慢波结构的周期长度为4mm,同轴慢波结构的周期深度为4mm;/n所述同轴慢波结构包括外慢波结构、与外慢波结构同轴的内慢波结构;/n所述外慢波结构和内慢波结构之间的周期结构相互交错分布,构成叉指排列。/n
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