[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810607736.3 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087867A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 石敬林;柳承官;李锡贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈宇;程月 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，所述第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装件 图案 绝缘图案 芯片焊盘 覆盖 半导体器件 开口 钝化图案 再分布层 制造 曝光工艺 图案覆盖 显影工艺 再分布 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案，其中，半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘；以及在覆盖图案上形成再分布层，其中，形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810607736.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
