[发明专利]磁控溅射靶的磁场组件、磁控溅射靶及其优化方法有效
| 申请号： | 201810608653.6 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108611614B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 佘鹏程;彭立波;龚俊;程文进;罗才旺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射靶的磁场组件，包括上导磁组件、下导磁板、以及设于上导磁组件和下导磁板之间的磁性支架，上导磁组件包括多个同心布置的导磁环，磁性支架包括多圈磁性支撑结构，多圈磁性支撑结构与所述导磁环一一对应布置，相邻两圈磁性支撑结构的磁极相反。本发明还提供一种包含前述磁场组件的磁控溅射靶。一种前述磁控溅射靶的优化方法，包括以下步骤：S1、进行磁控溅射成膜；S2、测试成膜的均匀性；S3、若成膜的均匀性未达到设计要求，则调整各圈磁性支撑结构的磁场强度，然后重复步骤S1和S2，直至成膜的均匀性达到设计要求；若成膜的均匀性达到设计要求，则完成优化。本发明具有靶材利用率高，成膜均匀性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 磁场 组件 及其 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射靶的磁场组件，其特征在于：包括上导磁组件(1)、下导磁板(2)、以及设于上导磁组件(1)和下导磁板(2)之间的磁性支架(3)，所述上导磁组件(1)包括多个同心布置的导磁环(11)，所述磁性支架(3)包括多圈磁性支撑结构(31)，多圈所述磁性支撑结构(31)与多个所述导磁环(11)一一对应布置，相邻两圈磁性支撑结构(31)的磁极相反。
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