[发明专利]电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810611740.7 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108562841A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 张文亮;朱阳军;李文江;孙浩强;雷小阳 申请(专利权)人: 山东阅芯电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 264315 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法及装置,其对HTRB中、H3TRB中或HTGB中,利用采样电路采集所需的泄漏电流,所述采样电路包括用于与待测半导体器件相应端脚连接的运算放大器,所述运算放大器的同相端接地,运算放大器的反相端与待测半导体器件的端脚连接,且运算放大器的反相端通过放大器反馈电阻与所述运算放大器的输出端连接;在运算放大器的输出端得到输出电压Vout后,泄漏电流ILK=Vout/RIV,其中,Vout为运算放大器的输出电压,RIV为放大器反馈电路。本发明能有效实现对泄漏电流的检测,且不会影响HTRB、H3TRB、HTGB试验中所施加的电学应力条件,安全可靠。
搜索关键词: 运算放大器 泄漏电流 待测半导体器件 泄漏电流检测 电子元器件 采样电路 老化测试 输出电压 反相端 端脚 放大器反馈电阻 放大器反馈 输出端连接 应力条件 有效实现 接地 输出端 同相端 电学 电路 采集 施加 检测 试验
【主权项】:
1.一种电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法,其特征是:对HTRB中、H3TRB中或HTGB中,利用采样电路采集所需的泄漏电流,所述采样电路包括用于与待测半导体器件相应端脚连接的运算放大器,所述运算放大器的同相端接地,运算放大器的反相端与待测半导体器件的端脚连接,且运算放大器的反相端通过放大器反馈电阻与所述运算放大器的输出端连接,在运算放大器的输出端得到输出电压Vout后,泄漏电流ILK=Vout/RIV,其中,Vout为运算放大器的输出电压,RIV为放大器反馈电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东阅芯电子科技有限公司,未经山东阅芯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810611740.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top