[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201810612015.1 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108585881A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 叶枫;杨春萍;张标;叶健;刘强;高晔;叶凯 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/64 |
代理公司: | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人: | 闫冬;段守富 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法,用以解决现有热导率偏低的技术问题,通过将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却,并将所得氮化硅粉体研磨过筛;与烧结助剂在混合介质的作用下混合,混合结束后干燥、过筛,得到粉料;压制成型,得到氮化硅陶瓷生坯;最后经气压烧结,得到氮化硅陶瓷材料,与现有技术比较,通过对氮化硅粉体的脱氧处理,使得原始粉料含氧量更低,在烧结过程中降低晶格氧含量程度更高,更有利于避免声子散射,从而提高氮化硅陶瓷的热导率,制备的氮化硅陶瓷具有高热导率、良好的抗热震性能和耐高温性能,使用安全,是一种具有优良的力、热、电综合性能的氮化硅陶瓷基板材料。 | ||
搜索关键词: | 氮化硅陶瓷 高热导率 制备 氮化硅粉体 脱氧处理 热导率 粉料 过筛 氮化硅陶瓷材料 氮化硅陶瓷基 抗热震性能 耐高温性能 氮化硅粉 混合介质 气压烧结 烧结过程 烧结助剂 声子散射 综合性能 含氧量 研磨 板材料 晶格氧 生坯 | ||
【主权项】:
1.一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,第一步,将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却,并将所得氮化硅粉体研磨过筛;第二步,将第一步所述氮化硅粉体与烧结助剂在混合介质的作用下混合,混合结束后干燥、过筛,得到粉料;第三步,将所述粉料压制成型,得到氮化硅陶瓷生坯;第四步,将所述氮化硅陶瓷生坯进行气压烧结,得到氮化硅陶瓷材料。
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