[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810612015.1 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108585881A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 叶枫;杨春萍;张标;叶健;刘强;高晔;叶凯 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/64
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 代理人: 闫冬;段守富
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法,用以解决现有热导率偏低的技术问题,通过将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却,并将所得氮化硅粉体研磨过筛;与烧结助剂在混合介质的作用下混合,混合结束后干燥、过筛,得到粉料;压制成型,得到氮化硅陶瓷生坯;最后经气压烧结,得到氮化硅陶瓷材料,与现有技术比较,通过对氮化硅粉体的脱氧处理,使得原始粉料含氧量更低,在烧结过程中降低晶格氧含量程度更高,更有利于避免声子散射,从而提高氮化硅陶瓷的热导率,制备的氮化硅陶瓷具有高热导率、良好的抗热震性能和耐高温性能,使用安全,是一种具有优良的力、热、电综合性能的氮化硅陶瓷基板材料。
搜索关键词: 氮化硅陶瓷 高热导率 制备 氮化硅粉体 脱氧处理 热导率 粉料 过筛 氮化硅陶瓷材料 氮化硅陶瓷基 抗热震性能 耐高温性能 氮化硅粉 混合介质 气压烧结 烧结过程 烧结助剂 声子散射 综合性能 含氧量 研磨 板材料 晶格氧 生坯
【主权项】:
1.一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,第一步,将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却,并将所得氮化硅粉体研磨过筛;第二步,将第一步所述氮化硅粉体与烧结助剂在混合介质的作用下混合,混合结束后干燥、过筛,得到粉料;第三步,将所述粉料压制成型,得到氮化硅陶瓷生坯;第四步,将所述氮化硅陶瓷生坯进行气压烧结,得到氮化硅陶瓷材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810612015.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top