[发明专利]一种高性能氮化硅陶瓷手机后盖材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810613246.4 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108892514A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;吴利翔;牛文彬;曾令勇;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 张燕玲;杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于非氧化物陶瓷材料领域，公开了一种高性能氮化硅陶瓷手机后盖材料及其制备方法和应用。本发明将Si3N4和MgO‑Re2O3经混料、干燥后得到粉体A；纯Si3N4粉进行相同混料工艺、干燥后得到粉体记为粉体B，将粉体A和粉体B依次装入烧结炉中，在氮气气氛下制备表硬里韧的高性能Si3N4陶瓷梯度材料，氮气压力为负压；制备得到Si3N4陶瓷的相对密度高于95％，表层硬度为18～30GPa，里层断裂韧性为10～20MPa·m1/2，整体抗弯强度为1200～1500Mpa；本发明实现了高性能Si3N4梯度陶瓷的制备。最后经切割、粗磨、精磨和抛光工序后得到所述的高性能氮化硅陶瓷手机后盖产品。 | ||
| 搜索关键词： | 粉体 氮化硅陶瓷 手机后盖 制备 制备方法和应用 混料 非氧化物陶瓷材料 表层硬度 氮气压力 断裂韧性 抛光工序 梯度材料 梯度陶瓷 整体抗弯 烧结炉 粗磨 负压 和粉 精磨 里层 装入 切割 | ||
【主权项】：
1.一种高性能氮化硅陶瓷手机后盖材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)以Si3N4粉为原料，以MgO‑Re2O3为烧结助剂，将Si3N4和MgO‑Re2O3按质量分数比为60～99％：1～40％的配比经混料、干燥后，得到Si3N4‑MgO‑Re2O3混合粉体记为粉体A，其中Re为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；所述的MgO‑Re2O3中的MgO：Re2O3质量分数比为1～99％：99～1％；将Si3N4粉经过与前述相同的混料和干燥工艺得到的粉体记为粉体B；(2)将粉体A：粉体B按50～80vol％:50～20vol％比例，依次加入烧结炉中，在氮气环境下进行烧结，氮气压力为负压；最后烧结得到高性能氮化硅陶瓷手机后盖材料。
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