[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201810614091.6 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427901B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;陈自强;徐振峰;杨玉麟;李东颖;叶致锴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在衬底的第一区域和第二区域中形成纳米线器件和鳍器件。为了形成器件，形成第一材料和第二材料的交替层，邻近于第一材料层形成内部间隔件，并且之后去除第一材料层以形成纳米线而不去除第二区域内的第一材料层。在第一区域和第二区域内形成栅极电介质和栅电极的栅极结构以在第一区域中形成纳米线器件并且在第二区域中形成鳍器件。本发明实施例涉及半导体器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一区域和第二区域上方形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一材料；在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二半导体层；从所述第一区域上方去除所述第一半导体层以由所述第二半导体层形成纳米线沟道，其中，从所述第一区域上方去除所述第一半导体层没有从所述第二区域上方去除所述第一半导体层；以及在所述纳米线沟道周围形成第一栅电极；以及在所述第二区域中的所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成第二栅电极。
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