[发明专利]一种JTE和掩埋FLR复合终端结构功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810614318.7 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111755497B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;徐妙玲;黄兴;倪炜江;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种功率器件JTE和掩埋FLR复合终端结构及其制作方法。该新型终端结构主要由三种结构组合而成：在N型（或P型）外延耐压层的结终端区域的上层是与外延层相反掺杂的P型层（外延是P型时则为N型），同时在上层P型层中有离散的多个沟槽环，沟槽中填入了SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 jte 掩埋 flr 复合 终端 结构 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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