[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810614869.3 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109148513B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李宗璨;梁泰勳;郑雄喜;李京垣;李镕守 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H10K59/121 | 分类号： | H10K59/121;H10K59/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;张逍遥 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一栅电极；第一绝缘层，位于所述第一栅电极上；有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，所述PMOS区域与所述第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于所述有源图案上；第二栅电极，位于所述第二绝缘层上，并与所述NMOS区域叠置；有源保护图案，与所述第二栅电极位于同一层中，并且穿过所述第二绝缘层并与所述PMOS区域接触；第三绝缘层，位于所述有源保护图案和所述第二栅电极上；以及数据金属电极，穿过所述第三绝缘层并与所述有源保护图案接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810614869.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
