[发明专利]MOS管快速驱动电路在审

专利信息
申请号: 201810614901.8 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108923622A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 李水冰;程美红;朱万明 申请(专利权)人: 湖北德普电气股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 代理人: 廉海涛
地址: 441000 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提出了一种MOS管快速驱动电路,其中控制信号经放大后,由变压器初级传至次级,驱动MOS管工作;设置电容器C3,提供MOS管导通瞬间的大电流,实现MOS管的快速驱动导通;设置二级管D2,提供了一个尽可能低阻抗的通路供MOS管栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断,且关断期间驱动电路提供了一定的负电压避免受到干扰产生误导通。
搜索关键词: 快速驱动电路 导通 电容器 变压器初级 电容电压 干扰产生 控制信号 快速关断 快速驱动 驱动电路 大电流 低阻抗 二级管 负电压 开关管 栅源极 关断 泄放 放大 驱动 保证
【主权项】:
1.一种MOS管快速驱动电路,其特征在于:包括脉冲变压器U1、电容器C3、电阻器R2和二级管D2,脉冲变压器U1外接脉冲电源且依次与电容器C3、电阻器R2、NMOS管栅极G、NMOS管源极S电性连接形成电回路,二级管D2正极电性连接NMOS管源极S,二级管D2负极电性连接NMOS管漏极D。
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