[发明专利]碳化硅晶体生长热场旋转装置在审
| 申请号： | 201810616154.1 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108588836A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李龙远;赵丽霞;吴会旺;刘英斌;李胜华 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 林艳艳 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体生长热场旋转装置，涉及碳化硅晶体制作设备技术领域，包括基座、供气管组件、坩埚、加热保温旋转组件以及感应线圈，供气管组件的上部贯穿坩埚的底部设置，供气管组件内部设有用于向坩埚中通入工艺气体的供气孔。本发明提供的碳化硅晶体生长热场旋转装置，改变了传统的通过旋转坩埚来提高晶体对称性的方式，利用贯穿坩埚底面且和坩埚固接的供气管组件对坩埚进行固定支撑，通过设置于坩埚外周的加热保温旋转组件的旋转，实现提高晶体的对称性的作用，由于坩埚处于静止状态，使对坩埚通入气体的结构设置更为简单，同时还避免了坩埚旋转带来的内部气体对流对晶体生长造成扰动，有利于保证晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 供气管组件 碳化硅晶体 旋转装置 热场 加热保温 旋转组件 生长 晶体对称性 感应线圈 工艺气体 固定支撑 结构设置 晶体生长 静止状态 内部气体 旋转坩埚 制作设备 坩埚底面 扰动 传统的 供气孔 晶体的 贯穿 固接 外周 对流 保证 | ||
【主权项】：
1.碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：包括基座(500)、贯穿所述基座(500)且与所述基座(500)固接的供气管组件(300)、固设于所述供气管组件(300)上部且用于容纳原料(800)和籽晶(900)的坩埚(100)、设置于所述坩埚(100)外周且与所述坩埚(100)转动配合的加热保温旋转组件(200)以及套设于所述加热保温旋转组件(200)外周且与所述加热保温旋转组件(200)间隔设置的感应线圈(400)，所述供气管组件(300)的上部贯穿所述坩埚(100)的底部设置，所述供气管组件(300)内部设有用于向所述坩埚(100)中通入工艺气体的供气孔(311)。
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