[发明专利]一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关有效
| 申请号： | 201810617803.X | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108648964B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴倩楠;刘秋慧;李孟委 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01P1/10;H01P1/12 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 杨小东 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关，包括：衬底；微波传输线和驱动电极，微波传输线包括信号线和地线，微波传输线中部设有断口，驱动电极设置在断口处；设置在微波传输线上的上电极、下电极组件和空气桥，上电极一端与一侧的信号线连接，下电极组件与另一侧的信号线连接，上电极另一端悬空设置在驱动电极上方并延伸至下电极组件上方，空气桥连通地线；及一罩设上述各组件的封装帽。本发明有益效果在于，无需设计释放孔，具有简单实用、方便阻抗匹配、低插入损耗、高隔离度、低驱动电压的优点，适用于批量化生产，提高了开关的成品率，封装帽可以防止微波信号以辐射的形式泄露，可微波屏蔽，有助于开关微波性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 释放 电极 结构 射频 mems 开关 | ||
【主权项】：
1.一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关，其特征在于，包括：提供支撑基础的衬底；设置在所述衬底上的微波传输线和驱动电极，所述微波传输线包括信号线和地线，所述微波传输线中部设有断口，所述驱动电极设置在所述断口处；设置在微波传输线上的上电极、下电极组件和空气桥，所述上电极一端与一侧的信号线连接，所述下电极组件与另一侧的信号线连接，上电极另一端悬空设置在所述驱动电极上方并延伸至下电极组件上方，所述空气桥连通所述地线；及一罩设上述各组件的封装帽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学，未经中北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810617803.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
