[发明专利]一种基于溶液法同质外延MgO薄膜的制备方法

摘要

本发明属于薄膜制备技术领域，涉及在镀有IBAD‑MgO的金属基带上制备同质外延MgO薄膜的方法，具体为一种基于溶液法同质外延MgO薄膜的制备方法。本发明用低成本的溶液沉积法完全替代了传统高成本工艺复杂PVD方法，且制备的同质外延MgO薄膜表面形貌相比传统方法更优。

主权项

1.一种基于溶液法同质外延MgO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1、配置MgO前驱液：在0.1mol/L的氯化镁溶液中加入各占其质量百分比2.5％～3％的二乙醇胺和二乙烯三胺，并混合均匀，得到MgO前驱液；步骤2、将已沉积8‑12nm的IBAD‑MgO的哈氏合金基带装入卷绕盘1中，其一端从卷绕盘1中拉出依次引入转轮1、转轮2、加热装置、转轮3后接入卷绕盘2中；步骤1所得MgO前驱液置于溶液池；转轮2位于溶液池内以调转基带在溶液中的移动方向。步骤3、在加热装置对哈氏合金基带升温至500～600℃的条件下，卷绕轮2以100～150mm/min的速度牵引哈氏合金基带由卷绕轮1到转轮1，然后经过溶液池蘸取溶液并经转轮2调转方向后，垂直进入加热装置，最后被收集至卷绕轮2；即可制得同质外延MgO薄膜。