[发明专利]显示设备及制造该显示设备的方法有效
申请号: | 201810619392.8 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN109148514B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 孙暻锡;金亿洙;金宰范;林俊亨;林志勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/131 | 分类号: | H10K59/131;H10K59/121;H01L21/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李婷;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括:基底,其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域;第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT;以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括:第一有源层,包括多晶硅;第一栅电极;以及第一电极,设置在与第一导电层的水平相同的水平处,第二TFT包括:第二有源层,包括氧化物半导体;第二栅电极;以及第二电极,设置在与第二导电层的水平相同的水平处。 | ||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示设备,所述显示设备包括:基底,其上限定有第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域;第一薄膜晶体管,设置在所述第一区域中;第二薄膜晶体管,设置在所述第一区域中;第一导电层,从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域;以及第二导电层,从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域,其中,所述第一导电层和所述第二导电层设置在彼此不同的水平处,其中,所述第一薄膜晶体管包括:第一有源层,包括多晶硅;第一栅电极,与所述第一有源层绝缘;以及第一电极,连接到所述第一有源层并设置在与所述第一导电层的水平相同的水平处,并且所述第二薄膜晶体管包括:第二有源层,包括氧化物半导体;第二栅电极,与所述第二有源层绝缘;以及第二电极,连接到所述第二有源层并设置在与所述第二导电层的水平相同的水平处。
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