[发明专利]一种失效分析定位方法在审
| 申请号： | 201810619924.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108918552A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 翁浚婧;黄楚楚;李金;纪晓娜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种失效分析定位方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。该技术方案的有益效果是：本发明能够减少抓取失效点的时间，以便快速的进行失效分析，提高了失效分析的效率，实现了对芯片上的重复性结构区域中的失效点的快速定位与分析。 | ||
| 搜索关键词： | 目标区域 失效分析 点阵图形 失效点 重复性结构 抓取 半导体领域 被测芯片 表面设置 快速定位 区域设置 面积和 正相关 芯片 分析 | ||
【主权项】：
1.一种失效分析定位方法，其特征在于，适用于被测芯片的重复性结构区域，具体包括以下步骤：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810619924.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
