[发明专利]一种玻璃用TZO半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810620063.5 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108516819A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孔伟华 | 申请（专利权）人： | 南京迪纳科材料发展股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/626;C03C17/22;C01G19/02;C01G9/02;C03C17/23 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 211100 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种玻璃用TZO半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：将可聚合单体与水‑甲醇混合溶剂以及分散剂混合，制得预混液，然后加入ZnO和SnO2粉体混合物研磨，在聚合催化剂和聚合引发剂下使单体聚合，然后进行高温焙烧，再经过加工得到TZO半导体材料。制得的TZO半导体材料中ZnO和SnO2分布高度均匀且理想的ZnSn相的比例高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制备 甲醇混合溶剂 粉体混合物 聚合催化剂 聚合引发剂 可聚合单体 玻璃 单体聚合 高温焙烧 研磨 分散剂 预混液 加工 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃用TZO半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将可聚合单体与水‑甲醇混合溶剂以及分散剂混合，制得预混液；(2)取ZnO和SnO2粉体混合物，加入到步骤(1)的预混液中，搅拌制浆，将该浆料进行研磨；(3)向研磨后的浆料即研磨浆料中加入有机脱气剂以及聚合催化剂和聚合引发剂，在真空搅拌机中于20‑60℃下搅拌30‑60分钟；和(4)将步骤(3)的反应产物浇注到模具中，然后进行脱模，将脱模后的湿坯体在烘箱中于70‑110℃的温度下烘干得到高密度TZO素坯，然后在焙烧炉中于空气氛围下在400‑600℃下焙烧1‑4小时，然后升温至1200‑1600℃烧结2‑4小时，缓慢降至室温，再经过加工得到TZO半导体材料。
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