[发明专利]一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备/高分子膜层涂布、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层或高分子膜层(PMMA或光刻胶)，然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列，最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上，去除膜层后即可获得具有增透效果的减反微结构表面。该方法具有工艺稳定性及可控性高，可在大面积基底上制备几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。

主权项

1.一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、ZnS基底清洗：将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗，获得表面洁净的ZnS基底；步骤二、Al膜层制备/高分子膜层涂布：在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100～200nm的Al膜层或在ZnS基底表面通过旋转涂胶工艺涂布一层厚度为800nm～1.5μm的高分子膜层，所述高分子膜层为PMMA或光刻胶；步骤三、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列：通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构参数为周期3.6～4.0μm、孔径1.2～2.0μm的微孔结构阵列；步骤四、等离子体刻蚀：通过等离子体刻蚀工艺把Al膜层/高分子膜层中的微孔结构阵列刻蚀到ZnS基底上，刻蚀深度800nm～2.0μm；步骤五、去除膜层：用丙酮清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底，以去除高分子膜层；或者用草酸清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底，以去除Al膜层。