[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810620412.3 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN110676343A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 舒欣 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068
代理公司: 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人: 邢惠童
地址: 100176 北京市大兴区亦*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池领域。该制备方法包括:在晶硅衬底的背面形成第一功能区,所述第一功能区包括保留区和去除区;在所述保留区上形成保护层;除去所述去除区,并在所述晶硅衬底的背面形成沟槽;在所述沟槽内形成第二功能区;去除所述保护层;其中,所述第一功能区与所述第二功能区的导电类型不同。本发明实施例提供的制备方法只需要采用一次掩膜就能制备出具有绝缘性能的背面图形,工艺简单,成本低。且采用该方法能够制备得到第一功能区和第二功能区之间具有高度差的背接触太阳能电池,形成良好绝缘,避免了因二者导通而造成的开路电压、短路电流和填充因子的降低,从而提高了电池能量转化效率。
搜索关键词: 功能区 制备 背接触太阳能电池 背面 保护层 保留区 去除区 衬底 晶硅 太阳能电池领域 导电类型 电池能量 短路电流 绝缘性能 开路电压 填充因子 转化效率 高度差 导通 绝缘 去除 掩膜
【主权项】:
1.一种背接触太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:/n在晶硅衬底的背面形成第一功能区,所述第一功能区包括保留区和去除区;/n在所述保留区上形成保护层;/n除去所述去除区,并在所述晶硅衬底的背面形成沟槽;/n在所述沟槽内形成第二功能区;/n去除所述保护层;/n其中,所述第一功能区与所述第二功能区的导电类型不同。/n
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