[发明专利]一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法在审
| 申请号： | 201810621236.5 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108828718A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈钢;江湛成;郝寅雷;李焕;潘文胜 | 申请（专利权）人： | 深圳市慧康精密仪器有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/134 | 分类号： | G02B6/134;G02B6/122 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 李利 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福保街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法，包括：S1、在准备好的玻璃基片上制作光波导形成所用掩膜；S2、将形成光波导掩膜的玻璃基片进行离子交换形成表面光波导；S3、利用腐蚀工艺去除光波导形成的所用掩膜；S4、通过微细加工技术在玻璃基片表面制作外阻挡层；S5、对制作有外阻挡层的玻璃基片利用电场辅助离子迁移技术形成掩埋式离子掺杂区；S6、利用微细加工技术去除外阻挡层形成光波导。在进行电场辅助离子迁移制作掩埋式光波导过程中，由于玻璃基片上“空白区域”的表面层上高电阻率外阻挡层的存在，增大了玻璃基片上“空白区域”的电阻，抑制了玻璃基片的温升幅度，提高了玻璃基片上光波导掩埋深度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃基片 外阻挡层 均匀性 玻璃基光波导芯片 微细加工技术 光波导形成 电场辅助 空白区域 离子迁移 光波导 掩埋式 制作 掩膜 玻璃基片表面 表面光波导 光波导掩膜 离子掺杂区 高电阻率 离子交换 表面层 阻挡层 上光 波导 电阻 去除 温升 掩埋 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、在准备好的玻璃基片上制作光波导形成所用掩膜；S2、将形成光波导掩膜的玻璃基片进行离子交换形成表面光波导；S3、利用腐蚀工艺去除光波导形成的所用掩膜；S4、通过微细加工技术在玻璃基片表面制作外阻挡层；S5、对制作有外阻挡层的玻璃基片利用电场辅助离子迁移技术形成掩埋式离子掺杂区；S6、利用微细加工技术去除外阻挡层形成光波导。
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