[发明专利]结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法有效

专利信息
申请号: 201810621365.4 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN109103117B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 安根植 申请(专利权)人: 普罗科技有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L21/268
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 韩国京畿道安养市东*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体芯片结合设备和一种半导体芯片结合方法,且更明确地说提供将半导体芯片结合到衬底的上表面或另一半导体芯片的设备和方法。根据半导体芯片结合设备和半导体芯片结合方法,可通过将半导体芯片快速且精确地结合到衬底或另一半导体芯片来增加产率。
搜索关键词: 结合 半导体 芯片 设备 方法
【主权项】:
1.一种半导体芯片结合设备,其特征在于,包括:固定部件,用以固定多个芯片‑衬底组件的下表面,在所述芯片‑衬底组件中,非导电树脂层以及半导体芯片依序堆叠在衬底上;按压部件,布置在所述固定部件上方,所述按压部件包括激光束穿透的透明部分;提升部件,用以相对于所述固定部件以及所述按压部件中的一个提升或降低所述固定部件以及所述按压部件中的另一个,以对所述多个芯片‑衬底组件的所述半导体芯片加压,使得所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块穿透所述非导电树脂层,以电接触所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个;以及激光头,用以通过所述按压部件的所述透明部分将所述激光束照射到通过使用所述按压部件加压的所述芯片‑衬底组件,以便将所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块结合到所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普罗科技有限公司,未经普罗科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810621365.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top