[发明专利]结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法有效
申请号: | 201810621365.4 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN109103117B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 安根植 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/268 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安养市东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体芯片结合设备和一种半导体芯片结合方法,且更明确地说提供将半导体芯片结合到衬底的上表面或另一半导体芯片的设备和方法。根据半导体芯片结合设备和半导体芯片结合方法,可通过将半导体芯片快速且精确地结合到衬底或另一半导体芯片来增加产率。 | ||
搜索关键词: | 结合 半导体 芯片 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片结合设备,其特征在于,包括:固定部件,用以固定多个芯片‑衬底组件的下表面,在所述芯片‑衬底组件中,非导电树脂层以及半导体芯片依序堆叠在衬底上;按压部件,布置在所述固定部件上方,所述按压部件包括激光束穿透的透明部分;提升部件,用以相对于所述固定部件以及所述按压部件中的一个提升或降低所述固定部件以及所述按压部件中的另一个,以对所述多个芯片‑衬底组件的所述半导体芯片加压,使得所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块穿透所述非导电树脂层,以电接触所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个;以及激光头,用以通过所述按压部件的所述透明部分将所述激光束照射到通过使用所述按压部件加压的所述芯片‑衬底组件,以便将所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块结合到所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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