[发明专利]一种CVD单晶金刚石异质外延衬底的结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810621757.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108707965A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 左浩;李升;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 西安碳星半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04;C23C28/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓晖 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD单晶金刚石异质外延衬底的结构及制备方法，其结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的顶部外壁设置有金属IR层，且金属IR层的顶部外壁设置有纳米晶金刚石成核层，且结构的制备方法，包括在蓝宝石衬底的顶部外壁通过剖光系统进行单面剖光，并通过表面粗糙度检测仪进行粗糙度检测，若蓝宝石衬底单面剖光不合格时则继剖光，直至合格，同时通过吸尘设备吸取废渣，使用磁控溅射方法，在S1中单面剖光后的蓝宝石衬底的外壁淀积一层厚度为100‑300nm的金属IR层。本发明实现大面积单晶金刚石的低成本生长，可用于生长英寸级的大面积单晶金刚石，能够实时检测蓝宝石衬底单面剖光的光滑度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 蓝宝石 顶部外壁 金刚石 制备 大面积单晶 单晶金刚石 异质外延 金属 表面粗糙度检测 粗糙度检测 磁控溅射 实时检测 吸尘设备 层厚度 成核层 低成本 光滑度 光系统 纳米晶 生长 淀积 可用 外壁 废渣 | ||
【主权项】：
1.一种CVD单晶金刚石异质外延衬底的结构，包括蓝宝石衬底(3)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(3)的顶部外壁设置有金属IR层(2)，且金属IR层(2)的顶部外壁设置有纳米晶金刚石成核层(1)。
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