[发明专利]量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法有效
| 申请号： | 201810621937.9 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109149367B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吉永弘幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区的主表面上；金属层，所述金属层被设置在第三区的主表面上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有半导体台面和半导体基部。半导体基部安装半导体台面。介电膜在第一区与第二区之间的边界处具有水平差，并且台阶在与第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 级联 激光器 发光 设备 制作 半导体激光器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子级联激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区的主表面和所述第二区的主表面上；金属层，所述金属层被设置在所述第三区的主表面上；介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在所述介电膜、所述端面和所述高比电阻区上，所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，所述激光器结构包括半导体台面和半导体基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述半导体基部用于安装所述半导体台面，并且所述介电膜具有在所述第一区与所述第二区之间的边界处的具有水平差的台阶，所述台阶在与所述第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。
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