[发明专利]铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺及铜互联结构有效
| 申请号： | 201810623542.2 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN110610897B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郑波;马振国;史晶;史小平;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺及铜互联结构，该制作工艺包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽，所述沟槽的侧壁为介电材料，所述沟槽的底部为导电材料；采用含有钴和锗的前驱物对所述半导体衬底进行化学气相沉积或原子层沉积，使所述扩散阻挡层选择性地沉积在所述沟槽侧壁的介电材料上，不在所述沟槽底部的导电材料上沉积。本发明制作工艺获得的扩散阻挡层具备均匀的侧壁覆盖率，沟槽开口处的无倒挂问题，并且沟槽的底部不会沉积扩散阻挡层，从而铜互联结构不会出现孔洞并具有低的线电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 联结 扩散 阻挡 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽，且所述沟槽的侧壁为介电材料，所述沟槽的底部为导电材料；/n采用含有钴和锗的前驱物对所述半导体衬底进行化学气相沉积或原子层沉积，使所述扩散阻挡层选择性地沉积在所述沟槽侧壁上，不在所述沟槽底部沉积。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810623542.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：负斜率隔离结构
- 下一篇：图案化半导体装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
