[发明专利]一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法有效
申请号: | 201810627346.2 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN108977860B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 张照景;敖建平;毕金莲;郭佳佳;高青;孙国忠;周志强;刘芳芳;张毅;孙云 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C25D3/38 | 分类号: | C25D3/38;C23C14/18;C23C14/35;C23F1/18;C25D5/38;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人: | 廖晓荣 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法,该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒,使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜,从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌,提升Cu薄膜的薄膜质量;另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求,并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便,大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 沉积 mo 衬底 质量 cu 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:第1步、以Mo为衬底,在衬底上制备出覆盖不完全的薄层Cu薄膜;第2步、将第1步覆盖不完全的薄层Cu薄膜浸泡在稀盐酸溶液中,生成Cu纳米颗粒;第3步、以第2步生成的表面存在Cu纳米颗粒的Mo为衬底,在含有Cu元素的盐溶液中电沉积得到Cu薄膜。
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