[发明专利]一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201810627346.2 申请日: 2018-06-19
公开(公告)号: CN108977860B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 张照景;敖建平;毕金莲;郭佳佳;高青;孙国忠;周志强;刘芳芳;张毅;孙云 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;C23C14/18;C23C14/35;C23F1/18;C25D5/38;H01L31/0392;H01L31/18
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 廖晓荣
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法,该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒,使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜,从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌,提升Cu薄膜的薄膜质量;另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求,并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便,大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。
搜索关键词: 一种 通过 沉积 mo 衬底 质量 cu 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:第1步、以Mo为衬底,在衬底上制备出覆盖不完全的薄层Cu薄膜;第2步、将第1步覆盖不完全的薄层Cu薄膜浸泡在稀盐酸溶液中,生成Cu纳米颗粒;第3步、以第2步生成的表面存在Cu纳米颗粒的Mo为衬底,在含有Cu元素的盐溶液中电沉积得到Cu薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810627346.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top