[发明专利]降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷在审
申请号: | 201810628681.4 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN108615725A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | P.N.格里洛特;I.H.维德森;T.恩沙尼安;P.P.德布 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L27/02;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/62;H01S5/30;H01S5/323 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙之刚;陈岚 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明的实施例包括布置在n型区与p型区之间的Ⅲ‑氮化物发光层、包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层和布置在Ⅲ‑氮化物发光层与包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层之间的纳米管终止层。纳米管在纳米管终止层中终止。 | ||
搜索关键词: | 纳米管 氮化物发光层 氮化物层 终止层 氮化物结构 | ||
【主权项】:
1.一种器件,包括:布置在n型区与p型区之间的Ⅲ‑氮化物发光层;以及掺杂有受主的Ⅲ‑氮化物层,其中n型区布置在掺杂有受主的Ⅲ‑氮化物层与发光层之间。
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