[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810628861.2 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109065683B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对应力释放层的表面进行伽马射线辐照，降低应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。本发明通过对应力释放层的表面进行伽马射线辐照，有利于应力释放层的各组分均匀掺杂在应力释放层中，提高应力释放层中元素掺杂的均匀性和有效性，保证外延片生长质量的一致性和均匀性，减少和释放蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的缺陷和应力，提升有源层的晶体质量，有利于增加有源层中的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对所述应力释放层的表面进行伽马射线辐照，降低所述应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810628861.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
