[发明专利]异质结场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810628897.0 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108807530B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;王磊;敖金平 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种异质结场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极。该制备方法工艺简单，既可以避免p型氧化物被污染，又可以实现制备较高浓度的p型氧化物栅极，而且还能保证对GaN基异质结场效应晶体管阈值电压的正向调控能力，最终该异质结场效应晶体管的器件功率得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极。
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