[发明专利]一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法在审
| 申请号： | 201810628938.6 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108832012A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张宇;马越;陆敏;陈真;张佳;张铁强 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法，属于照明技术领域。本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极，依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI3钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成。本发明将Ag作为阴极，并选取MoO3/Au/MoO3作为阳极保证良好的透明性与导电性，实现银离子自发掺杂到钙钛矿量子点薄膜中，有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，进而提高钙钛矿量子点LED的性能，明显改善钙钛矿量子点及钙钛矿量子点LED的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 量子点 掺杂 钝化 阴极 制备 照明技术领域 聚乙烯亚胺 空穴传输层 量子点表面 导电性 双层电子 有效钝化 阳极 传输层 发光层 三苯胺 阳极层 阴极层 银离子 衬底 咔唑 薄膜 替代 保证 | ||
【主权项】：
1.一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI3钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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