[发明专利]具有鳍形有源区的半导体器件有效
| 申请号： | 201810630928.6 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109509791B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;金洞院;裵金钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高度集成的半导体器件。所述半导体器件包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸。所述半导体器件包括突出图案，所述突出图案沿所述沟槽的底表面延伸。另外，所述突出图案与所述多个鳍形有源区之间的间隔大于所述多个鳍形有源区中两个相邻的鳍形有源区之间的间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有源 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区；多个鳍形有源区，在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸；以及多个突出图案，沿所述沟槽的底表面延伸，所述多个突出图案中的一者从所述器件区的侧壁的下端延伸，其中所述多个鳍形有源区中的相邻的鳍形有源区在与所述第一方向垂直的第二方向上以第一节距彼此间隔开，且其中所述多个突出图案与所述多个鳍形有源区在所述第二方向上以第二节距彼此间隔开，所述第二节距大于所述第一节距。
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