[发明专利]一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结制备方法有效
| 申请号： | 201810631509.4 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108727031B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈健;郑嘉棋;黄政仁;陈军军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结制备方法，所述碳化硅基复相压敏陶瓷的组成包括SiC基体、以及分散于SiC基体中的MoSi |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基复相压敏 陶瓷 及其 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅基复相压敏陶瓷，其特征在于，所述碳化硅基复相压敏陶瓷的组成包括SiC基体、以及分散于SiC基体中的MoSi2第二相、AlN和Y2O3；所述MoSi2第二相的含量不超过17.5wt%，所述AlN的含量为1～5wt%，Y2O3的含量为1～2wt%，各组分含量之和为100wt%。
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