[发明专利]一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810633254.5 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103237A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴海燕 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构及制备方法，包括第二导电类型外延层，第二导电类型外延层两肩依次生长第一导电类型阱区域，第二导电类型源区域和第一导电类型重掺杂区域，两个阱区域中间引入第一导电类型区域；可以在增加JFET宽度的同时抑制器件栅氧内的电场强度，从而在不影响器件阻断的条件下，增加JFET区域的宽度，降低JFET区域的电阻，提升器件的导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电类型外延层 第一导电类型 碳化硅MOSFET 单胞结构 阱区域 制备 第一导电类型区域 重掺杂区域 导电类型 导通特性 提升器件 抑制器件 影响器件 源区域 电阻 栅氧 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种JFET区T型高掺碳化硅MOSFET的单胞结构，其特征在于：包括第二导电类型外延层(4)，第二导电类型外延层(4)两肩依次生长第一导电类型阱区域(5)，第二导电类型源区域(6)和第一导电类型重掺杂区域(12)，两个阱区域中间引入第一导电类型区域；器件上方中间依次制备栅氧化层(8)和栅电极(9)，上方两端设置源电极(7)，再在上方覆盖钝化保护介质(10)，器件底部设置漏电极(11)。
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