[发明专利]SiC表面欧姆接触优化方法在审
| 申请号： | 201810633272.3 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109087850A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈允峰;黄润华;李士颜;柏松;栗锐;汪玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴海燕 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了SiC基器件制备过程中表面欧姆接触形成的一些优化方案，本发明包括三个子方案，第一部分主要采用重掺掺杂，并主要采用Ti金属体系，从而可以降低所需退火温度，在低温合金后即获得良好SiC表面欧姆接触。第二部分在SiC表面和电极金属Ni之间引入多晶硅层，使得合金反应大部分发生在Ni金属和多晶硅之间，从而减少单质碳的生成和污染。第三部分，同时利用兼顾前两部份工艺优化方案，整合优化，达到SiC表面欧姆接触性能和工艺的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触 优化 退火 低温合金 电极金属 多晶硅层 工艺优化 合金反应 金属体系 器件制备 单质碳 多晶硅 最优化 整合 掺杂 金属 引入 污染 | ||
【主权项】：
1.一种SiC表面欧姆接触优化方法，其特征在于：包括步骤：(1)在SiC衬底需要形成欧姆接触电极的一面，通过离子注入进行重掺掺杂，并高温退火激活，形成SiC重掺层；(2)在SiC重掺层表面，生长薄层金属；(3)进行低温退火，使薄层金属与SiC重掺层反应形成合金层，并且剩余部分SiC重掺层；(4)在合金层表面继续生长加厚金属，得到SiC表面欧姆接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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